1億回以上書き換え可能なFe-NANDフラッシュメモリ

http://slashdot.jp/hardware/article.pl?sid=08/05/23/0624200

さーいよいよ来ました。これを待ってました！！
１億回もあればほんとＨＤＤの代わりとして使えます！！
しかも壊れないしー。いいぢゃんー。

FeFET（強誘電体ゲート電界効果トランジスタ）でNANDフラッシュメモリのメモリセルを作製したところ、1億回以上の書き換え耐性を持ち（従来は約 1万回）、書き込み電圧は6V以下になるという（従来は20V）。また浮遊ゲートが存在しないため、セル間の容量結合ノイズが生じない等の理由により、微細化にも強く、将来の20nmや10nmプロセスにも対応すると期待される。

うはー全くもっていいことづくめだしーｗ

なかでも、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの微細化は現在の技術だと３０ナノ（１０億分の１）メートルが限界とされていた。ＦｅＦＥＴ技術を活用すればＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでも１０ナノメートル、２０ナノメートルの次世代微細化技術に対応できるという。

http://www.business-i.jp/news/ind-page/news/200805220040a.nwc

少なくとも今の３倍の容量までは同じサイズで行けるわけだ。
なにせ今までの１万倍ということは、例えば３０日で壊れていたとして、約１０００年壊れないわけだｗｗ
いやーもう書き込み寿命なんてものはなかったことにｗｗ

これいいなー早くでないかなー。